چین MOSFET سوپر جنکشن

• 

  650 ولت گوشی های هوشمند با مقاومت پایین تر

  حاشیه EMI:حاشیه EMI بزرگ

  تولید کننده:لینگگون

  درخواست:منابع تغذیه مخابراتی/سرور

  اکنون تماس بگیرید
• 

  دستگاه های متمایز با قدرت پایدار با مقاومت بسیار کم و حاشیه EMI بزرگ

  نور بالا:100٪ بهمن تست شده با عملکرد بسیار پایین رون * برای کارایی در حالت

  درخواست:منابع تغذیه مخابراتی/سرور

  نوع:ن

  اکنون تماس بگیرید
• 

  دستگاه های متمایز برق مخابراتی (Super Junction MOSFET) نوع N

  نور بالا:100٪ بهمن تست شده با عملکرد بسیار پایین رون * برای کارایی در حالت

  حاشیه EMI:حاشیه EMI بزرگ

  نوع وسیله:قدرت دستگاه های گسسته

  اکنون تماس بگیرید
• 

  نوع N سوپر جنکشن Mosfet برای تامین برق مخابرات / سرور

  نوع:ن

  حاشیه EMI:حاشیه EMI بزرگ

  درخواست:مخابرات / منابع تغذیه سرور

  اکنون تماس بگیرید
• 

  الکترونيک هاي پیشرفته سوپر ژونکشن MOSFET در منابع برق بدون وقفه

  نور بالا:100٪ بهمن تست شده با عملکرد بسیار پایین رون * برای کارایی در حالت

  درخواست:منابع تغذیه مخابراتی/سرور

  حاشیه EMI:حاشیه EMI بزرگ

  اکنون تماس بگیرید
• 

  منابع برق مخابرات / سرور Sj Mosfet عملکرد بالا

  نوع:ن

  تولید کننده:لینگگون

  نور بالا:100٪ بهمن تست شده با عملکرد بسیار پایین رون * برای کارایی در حالت

  اکنون تماس بگیرید
• 

  7A 650V EMI مارجن بزرگ کانال N MOSFET LC65R600F

  درخواست:منابع تغذیه مخابراتی/سرور

  تولید کننده:لینگگون

  حاشیه EMI:حاشیه EMI بزرگ

  اکنون تماس بگیرید
• 

  20A 650V Super Junction Mos برای منابع برق سرور مخابرات

  نور بالا:100٪ بهمن تست شده با عملکرد بسیار پایین رون * برای کارایی در حالت

  تولید کننده:لینگگون

  نوع وسیله:قدرت دستگاه های گسسته

  اکنون تماس بگیرید
• 

  قدرت بزرگ EMI مارجن فوق العاده Mosfet 100٪ Avalanche تست شده

  نوع:ن

  حاشیه EMI:حاشیه EMI بزرگ

  تولید کننده:لینگگون

  اکنون تماس بگیرید
• 

  4A 650V 880mΩ ترانزیستور HV با مقاومت پایین

  شناسه:4A

  ولتاژ منبع تخلیه:650 ولت

  RDSON-typ VGS=10V:880mΩ

  اکنون تماس بگیرید
• 

  Si Super Junction MOSFET جریان بالا خنک کننده Mos 47A 600V 68mΩ

  شناسه:47A

  ولتاژ منبع تخلیه:600 ولت

  RDSON-typ VGS=10V:68mΩ

  اکنون تماس بگیرید
• 

  20A 650V 150mΩ MOSFET کم Ciss Super Junction برای منابع برق

  شناسه:20A

  ولتاژ منبع تخلیه:650 ولت

  RDSON-typ VGS=10V:150mΩ

  اکنون تماس بگیرید