خانه محصولات

نیمه هادی با قدرت بالا

چین نیمه هادی با قدرت بالا

11A 650V 340mΩ TO-252 MOSFET با قدرت بالا برای شارژر سوئیچ

شناسه:11A

Vdss:650 ولت

RDSON-typ VGS=10V:340mΩ
نیمه هادی با ولتاژ بالا نوع N با قدرت بالا با نشت کم

مقاومت در برابر دما:مقاومت در برابر درجه حرارت بالا

نوع:ن

نور بالا:نیمه هادی های ولتاژ بالا با توانایی آنها در مدیریت کارآمد ولتاژها و جریان های بالا، با قابلیت سوئیچی
TO-220F ترانزیستورهای اثر میدان نیمه هادی اکسید فلزی 15A 600V 274mΩ

شناسه:15A

Vdss:600 ولت

RDSON-typ VGS=10V:274mΩ
نیمه هادی با قدرت پایین 15A 650V 238mΩ برای کنورترهای DC-DC

شناسه:15A

ولتاژ منبع تخلیه:650 ولت

RDSON-typ VGS=10V:238mΩ
20A 650V 150mΩ MOS خنک برای منبع تغذیه حالت سوئیچ

شناسه:20A

ولتاژ منبع تخلیه:650 ولت

RDSON-typ VGS=10V:150mΩ
19A 600V 160mΩ نیمه هادی با قدرت بالا برای منابع برق صنعتی

شناسه:19A

ولتاژ منبع تخلیه:600 ولت

RDSON-typ VGS=10V:160mΩ
N کانال نیمه هادی ولتاژ بالا با ظرفیت اتصال نشت کم

نوع:ن

مقاومت در برابر دما:مقاومت در برابر درجه حرارت بالا

ظرفیت گره:ظرفیت پایین اتصال
TO-252 سطح نصب نیمه هادی با قدرت بالا 5A 500V 1.33Ω برای خشک کن مو

شناسه:5A

ولتاژ منبع تخلیه:500 ولت

RDSON-typ VGS=10V:1.33Ω
نوع N ترانزیستور ولتاژ بالا TO-220F با ظرفیت اتصال کم

مقاومت در برابر دما:مقاومت در برابر درجه حرارت بالا

ظرفیت گره:ظرفیت پایین اتصال

نور بالا:نیمه هادی های ولتاژ بالا با توانایی آنها در مدیریت کارآمد ولتاژها و جریان های بالا، با قابلیت سوئیچی
N Channel High Power Semiconductor TO-220F با مقاومت در برابر دمای بالا

کارایی:بازدهی بالا

ظرفیت گره:ظرفیت پایین اتصال

نور بالا:نیمه هادی های ولتاژ بالا با توانایی آنها در مدیریت کارآمد ولتاژها و جریان های بالا، با قابلیت سوئیچی
قدرت بالا خروجی کم کانال N IGBT مقاوم در برابر دمای بالا

ولتاژ:ولتاژ بالا

نور بالا:نیمه هادی های ولتاژ بالا با توانایی آنها در مدیریت کارآمد ولتاژها و جریان های بالا، با قابلیت سوئیچی

نشتی:نشتی کم
TO-247 N کانال نیمه هادی با قدرت بالا برای شارژ انبار

کارایی:بازدهی بالا

ظرفیت گره:ظرفیت پایین اتصال

مقاومت در برابر دما:مقاومت در برابر درجه حرارت بالا

Page 1 of 3|< << 1 2 3 >> >|

فهرست دسته بندی ها：

نیمه هادی با قدرت بالا

چین نیمه هادی با قدرت بالا

11A 650V 340mΩ TO-252 MOSFET با قدرت بالا برای شارژر سوئیچ

نیمه هادی با ولتاژ بالا نوع N با قدرت بالا با نشت کم

TO-220F ترانزیستورهای اثر میدان نیمه هادی اکسید فلزی 15A 600V 274mΩ

نیمه هادی با قدرت پایین 15A 650V 238mΩ برای کنورترهای DC-DC

20A 650V 150mΩ MOS خنک برای منبع تغذیه حالت سوئیچ

19A 600V 160mΩ نیمه هادی با قدرت بالا برای منابع برق صنعتی

N کانال نیمه هادی ولتاژ بالا با ظرفیت اتصال نشت کم

TO-252 سطح نصب نیمه هادی با قدرت بالا 5A 500V 1.33Ω برای خشک کن مو

نوع N ترانزیستور ولتاژ بالا TO-220F با ظرفیت اتصال کم

N Channel High Power Semiconductor TO-220F با مقاومت در برابر دمای بالا

قدرت بالا خروجی کم کانال N IGBT مقاوم در برابر دمای بالا

TO-247 N کانال نیمه هادی با قدرت بالا برای شارژ انبار

سلیکون کاربید SBD

دیود های مانع سیلیکون کاربید برای اجاق برق

SBD کربید سیلیکون ولتاژ بالا برای مرکز داده

کاربید سیلیکون صنعتی SBD چند منظوره برای دستگاه جوش

اینورتر IGBT

15A 1200V اینورتر IGBT مدار کوتاه مقاومت زمان 10μS برای راننده موتور

اینورتر قابل اعتماد و محکم IGBT حالت تقویت کانال N

تخته شارژ IGBT ترانزیستور چند منظوره برای برنامه های کاربردی OBC