درخواست نقل قول |
خانه محصولاتماسفت با قدرت بالا

حالت تقویت کانال N قدرت MOSFET 11A 400V برای آداپتور و شارژر

همه محصولات

اینورتر IGBT

(47)

IGBT با قدرت بالا

(48)

ماسفت با قدرت بالا

(48)

MOSFET سوپر جنکشن

(48)

ماسفت ولتاژ پایین

(81)

ماسفت فشار قوی

(54)

دیودهای مانع شاتکی

(80)

دیود های بازیابی سریع

(49)

VF Schottky پایین

(65)

نیمه هادی با قدرت بالا

(28)

ماسفت سیلیکون کاربید

(21)

سلیکون کاربید SBD

(21)
بهترین محصولات
MOSFET صنعتی با قدرت بالا تبعید گرما اکسید فلزی MOSFET

MOSFET صنعتی با قدرت بالا تبعید گرما اکسید فلزی MOSFET

500 ولت کانال N MOSFET چند منظوره نیمه هادی اکسید فلزی

500 ولت کانال N MOSFET چند منظوره نیمه هادی اکسید فلزی

MOSFET قدرت 600 ولت با جریان بالا برای کنترل و مدار های پل

MOSFET قدرت 600 ولت با جریان بالا برای کنترل و مدار های پل

گواهی
چین Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd گواهینامه ها
چین Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd گواهینامه ها
نظرات مشتریان
محصول فوق العاده، درست مثل توصيف شده، حمل و نقل سريع و خدمات عالي

—— ميني فاکس1

ارسال خیلی سریع، بسته بندی خوب و این کابل ها قطعا با کیفیت بالا هستند! من در هیچ جای دیگری خریداری نکرده ام و به خرید کابل های خود از این فروشنده ادامه خواهم داد! AAA+++

—— مهدی

خدمات عالی مثل همیشه از این فروشنده چند بار خریدم تحویل سریع

—— صوفیا

چت IM آنلاین در حال حاضر

حالت تقویت کانال N قدرت MOSFET 11A 400V برای آداپتور و شارژر

حالت تقویت کانال N قدرت MOSFET 11A 400V برای آداپتور و شارژر
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 11A 400V For Adaptor And Charger
حالت تقویت کانال N قدرت MOSFET 11A 400V برای آداپتور و شارژر حالت تقویت کانال N قدرت MOSFET 11A 400V برای آداپتور و شارژر

تصویر بزرگ :  حالت تقویت کانال N قدرت MOSFET 11A 400V برای آداپتور و شارژر

جزئیات محصول:
محل منبع: چین
نام تجاری: Lingxun
گواهی: IATF16949,ISO9001,ISO14001,ROHS,REACH
شماره مدل: CS11N40A
سند: About Lingxun(1).pdf
پرداخت:
مقدار حداقل تعداد سفارش: بر اساس تقاضاي سفارش شما
قیمت: According to your order requirement
جزئیات بسته بندی: بسته را بر اساس شماره قطعه تأیید کنید
زمان تحویل: بر اساس تقاضاي سفارش شما
شرایط پرداخت: T/T
قابلیت ارائه: 600KK در سال
مخاطب

حالت تقویت کانال N قدرت MOSFET 11A 400V برای آداپتور و شارژر

شرح
مقاومت: مقاومت کم محدوده دمای عملیاتی: -55°C تا +150°C
دسته بندی: ماسفت قدرت: قدرت بالا
نوع بسته بندی: TO-220AB MPN: CS11N40A1
Rdson-typ: 0.50Ω شناسه: 11A
Vdss: 400 ولت
برجسته کردن:

حالت تقویت قدرت MOSFET 11A,حالت تقویت قدرت MOSFET 400V,آداپتور کانال N MOSFET

,

Enhancement Mode Power MOSFET 400V

,

Adaptor N Channel MOSFET

حالت تقویت کانال N قدرت MOSFET 11A 400V برای آداپتور و شارژر
 
 
ویژگی های اصلی
ID:11A
VDSS: 400V
RDSON-typ (@VGS=10V):0.5Ω
 
ویژگی ها
تغییر سریع
مقاومت ON کم
هزینه پایین دروازه
آزمایش انرژی برف باری 100٪ Single Plus
 
ویژگی ها
• تغییر سریع
• مقاومت ON کم
• هزینه پایین دروازه
• آزمایش انرژی برف باری 100٪ تک پالس
 
برنامه های کاربردی
مدار سوئیچ قدرت آداپتور و شارژر
 
داده های مکانیکی
• کیس: پلاستیک قالب
• موقعیت نصب: هر
• پلاستیک قالب بندی شده: UL Flammability Rating 94V-0
• بدون سرب مطابق با دستورالعمل RoHS 2011/65/EU
• دمای حمام جوش 275°C حداکثر، 10s در هر JESD 22-B106
 
حالت تقویت کانال N قدرت MOSFET 11A 400V برای آداپتور و شارژر 0
حالت تقویت کانال N قدرت MOSFET 11A 400V برای آداپتور و شارژر 1
حالت تقویت کانال N قدرت MOSFET 11A 400V برای آداپتور و شارژر 2
حالت تقویت کانال N قدرت MOSFET 11A 400V برای آداپتور و شارژر 3
 

برچسب:

MOSFET سوپر جنکشن,ماسفت N کانال,MOS باحال,

حالت تقویت قدرت MOSFET 11A,حالت تقویت قدرت MOSFET 400V,آداپتور کانال N MOSFET,

Cool MOS

اطلاعات تماس
Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd

تماس با شخص: Mrs. Qinqin

تلفن: +8618988720515

فکس: 86-189-8872-0515

ارسال درخواست خود را به طور مستقیم به ما (0 / 3000)

در باره

سلیکون کاربید SBD

دیود های مانع سیلیکون کاربید برای اجاق برق

SBD کربید سیلیکون ولتاژ بالا برای مرکز داده

کاربید سیلیکون صنعتی SBD چند منظوره برای دستگاه جوش

اینورتر IGBT

15A 1200V اینورتر IGBT مدار کوتاه مقاومت زمان 10μS برای راننده موتور

اینورتر قابل اعتماد و محکم IGBT حالت تقویت کانال N

تخته شارژ IGBT ترانزیستور چند منظوره برای برنامه های کاربردی OBC

پیغام بگذارید

سیاست حفظ حریم خصوصی | چین خوب کیفیت اینورتر IGBT تامین کننده. © 2024 - 2025 Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd. All Rights Reserved.
vr