کاربرد چندگانه نیمه هادی با قدرت بالا کانال N

Name: کاربرد چندگانه نیمه هادی با قدرت بالا کانال N
Brand: Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd
Availability: InStock

همه محصولات

اینورتر IGBT
(37)

IGBT با قدرت بالا
(38)

ماسفت با قدرت بالا
(48)

MOSFET سوپر جنکشن
(48)

ماسفت ولتاژ پایین
(81)

ماسفت فشار قوی
(54)

دیودهای مانع شاتکی
(80)

دیود های بازیابی سریع
(49)

VF Schottky پایین
(65)

نیمه هادی با قدرت بالا
(28)

ماسفت سیلیکون کاربید
(21)

سلیکون کاربید SBD
(21)

گواهی

نظرات مشتریان

محصول فوق العاده، درست مثل توصيف شده، حمل و نقل سريع و خدمات عالي

—— ميني فاکس1

ارسال خیلی سریع، بسته بندی خوب و این کابل ها قطعا با کیفیت بالا هستند! من در هیچ جای دیگری خریداری نکرده ام و به خرید کابل های خود از این فروشنده ادامه خواهم داد! AAA+++

—— مهدی

خدمات عالی مثل همیشه از این فروشنده چند بار خریدم تحویل سریع

—— صوفیا

چت IM آنلاین در حال حاضر

کاربرد چندگانه نیمه هادی با قدرت بالا کانال N

تصویر بزرگ : کاربرد چندگانه نیمه هادی با قدرت بالا کانال N

جزئیات محصول:

محل منبع:	چین
نام تجاری:	Lingxun
گواهی:	IATF16949,ISO9001,ISO14001,ROHS,REACH
سند:	About Lingxun(1).pdf

پرداخت:

مقدار حداقل تعداد سفارش:	بر اساس تقاضاي سفارش شما
قیمت:	According to your order requirement
جزئیات بسته بندی:	لوله + کارتن
زمان تحویل:	بر اساس تقاضاي سفارش شما
شرایط پرداخت:	T/T
قابلیت ارائه:	600KK در سال

مخاطب

کاربرد چندگانه نیمه هادی با قدرت بالا کانال N

شرح

ولتاژ:	ولتاژ بالا	مزایا:	فرآیند پایدار و کیفیت قابل اعتماد
ظرفیت گره:	ظرفیت پایین اتصال	کارایی:	بازدهی بالا
ویژگی ها:	RDS پایین (روشن) در هر ناحیه تراشه (FOM کم)	درخواست ها:	اینورترهای خورشیدی، منبع تغذیه AC-DC
برجسته کردن:	کانال N نیمه هادی با قدرت بالا,کانال N با قدرت بالا,N کانال نیمه هادی با قدرت بالا , High Power N Channel , N Channel High Power Semiconductor

کاربرد چندگانه نیمه هادی با قدرت بالا کانال N

ویژگی ها

• هزینه پایین دروازه

• RDS پایین ((در) در هر منطقه تراشه ((FOM پایین

• بسیار کم تغییر و از دست دادن هدایت

• انعطاف پذیری بسیار بالا

برنامه های کاربردی

• اینورترهای خورشیدی

• تلویزیون LCD/LED/PDP

• منابع برق مخابرات/سرور

• منبع برق AC-DC

برچسب:

نیمه هادی ولتاژ بالا,ماسفت با قدرت بالا,IGBT با قدرت بالا,

کانال N نیمه هادی با قدرت بالا,کانال N با قدرت بالا,N کانال نیمه هادی با قدرت بالا,

High Power IGBT

اطلاعات تماس

Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd

تماس با شخص: Mrs. Qinqin

تلفن: +8618988720515

فکس: 86-189-8872-0515

سایر محصولات

11A 650V 340mΩ TO-252 MOSFET با قدرت بالا برای شارژر سوئیچ

شناسه: 11A

Vdss: 650 ولت

RDSON-typ VGS=10V: 340mΩ

محدوده دمای عملیاتی (Tj): -50°C تا +150°C

نیمه هادی با ولتاژ بالا نوع N با قدرت بالا با نشت کم

مقاومت در برابر دما: مقاومت در برابر درجه حرارت بالا

نوع: ن

نور بالا: نیمه هادی های ولتاژ بالا با توانایی آنها در مدیریت کارآمد ولتاژها و جریان های بالا، با قابلیت سوئیچی

ظرفیت گره: ظرفیت پایین اتصال

TO-220F ترانزیستورهای اثر میدان نیمه هادی اکسید فلزی 15A 600V 274mΩ

شناسه: 15A

Vdss: 600 ولت

RDSON-typ VGS=10V: 274mΩ

درخواست ها: اینورترهای خورشیدی، تلویزیون LCD/LED/PDP، منابع تغذیه مخابراتی/سرور

نیمه هادی با قدرت پایین 15A 650V 238mΩ برای کنورترهای DC-DC

شناسه: 15A

ولتاژ منبع تخلیه: 650 ولت

RDSON-typ VGS=10V: 238mΩ

درخواست ها: اینورترهای خورشیدی، تلویزیون LCD/LED/PDP، منابع تغذیه مخابراتی/سرور

20A 650V 150mΩ MOS خنک برای منبع تغذیه حالت سوئیچ

شناسه: 20A

ولتاژ منبع تخلیه: 650 ولت

RDSON-typ VGS=10V: 150mΩ

درخواست ها: توپولوژی های سوئیچینگ نرم، مخابرات و منابع تغذیه سرور

کاربرد چندگانه نیمه هادی با قدرت بالا کانال N

اینورتر IGBT

IGBT با قدرت بالا

ماسفت با قدرت بالا

MOSFET سوپر جنکشن

ماسفت ولتاژ پایین

ماسفت فشار قوی

دیودهای مانع شاتکی

دیود های بازیابی سریع

VF Schottky پایین

نیمه هادی با قدرت بالا

ماسفت سیلیکون کاربید

سلیکون کاربید SBD

کاربرد چندگانه نیمه هادی با قدرت بالا کانال N

کاربرد چندگانه نیمه هادی با قدرت بالا کانال N

کانال N نیمه هادی با قدرت بالا,کانال N با قدرت بالا,N کانال نیمه هادی با قدرت بالا

High Power N Channel

N Channel High Power Semiconductor

نیمه هادی ولتاژ بالا,ماسفت با قدرت بالا,IGBT با قدرت بالا,

کانال N نیمه هادی با قدرت بالا,کانال N با قدرت بالا,N کانال نیمه هادی با قدرت بالا,

High Power IGBT

11A 650V 340mΩ TO-252 MOSFET با قدرت بالا برای شارژر سوئیچ

نیمه هادی با ولتاژ بالا نوع N با قدرت بالا با نشت کم

TO-220F ترانزیستورهای اثر میدان نیمه هادی اکسید فلزی 15A 600V 274mΩ

نیمه هادی با قدرت پایین 15A 650V 238mΩ برای کنورترهای DC-DC

20A 650V 150mΩ MOS خنک برای منبع تغذیه حالت سوئیچ

سلیکون کاربید SBD

دیود های مانع سیلیکون کاربید برای اجاق برق

SBD کربید سیلیکون ولتاژ بالا برای مرکز داده

کاربید سیلیکون صنعتی SBD چند منظوره برای دستگاه جوش

اینورتر IGBT

15A 1200V اینورتر IGBT مدار کوتاه مقاومت زمان 10μS برای راننده موتور

اینورتر قابل اعتماد و محکم IGBT حالت تقویت کانال N

تخته شارژ IGBT ترانزیستور چند منظوره برای برنامه های کاربردی OBC