Multi-scene Surge Immunity Super Junction MOSFET برای راننده LED

Name: Multi-scene Surge Immunity Super Junction MOSFET برای راننده LED
Brand: Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd
Availability: InStock

همه محصولات

اینورتر IGBT
(37)

IGBT با قدرت بالا
(38)

ماسفت با قدرت بالا
(48)

MOSFET سوپر جنکشن
(48)

ماسفت ولتاژ پایین
(81)

ماسفت فشار قوی
(54)

دیودهای مانع شاتکی
(80)

دیود های بازیابی سریع
(49)

VF Schottky پایین
(65)

نیمه هادی با قدرت بالا
(28)

ماسفت سیلیکون کاربید
(21)

سلیکون کاربید SBD
(21)

بهترین محصولات

اینورتر خورشیدی سوپر جنکشن موس قدرت بالا خنک کننده موسفیت برای شارژ انبار

70A 650V 38mΩ Si Super Junction MOSFET با دیود بازیابی سریع

N Channel Super Junction MOSFET سطح نصب فرکانس بالا تغییر کول MOS

گواهی

نظرات مشتریان

محصول فوق العاده، درست مثل توصيف شده، حمل و نقل سريع و خدمات عالي

—— ميني فاکس1

ارسال خیلی سریع، بسته بندی خوب و این کابل ها قطعا با کیفیت بالا هستند! من در هیچ جای دیگری خریداری نکرده ام و به خرید کابل های خود از این فروشنده ادامه خواهم داد! AAA+++

—— مهدی

خدمات عالی مثل همیشه از این فروشنده چند بار خریدم تحویل سریع

—— صوفیا

چت IM آنلاین در حال حاضر

Multi-scene Surge Immunity Super Junction MOSFET برای راننده LED

تصویر بزرگ : Multi-scene Surge Immunity Super Junction MOSFET برای راننده LED

جزئیات محصول:

محل منبع:	چین
نام تجاری:	Lingxun
گواهی:	IATF16949,ISO9001,ISO14001,ROHS,REACH
سند:	About Lingxun(1).pdf

پرداخت:

مقدار حداقل تعداد سفارش:	بر اساس تقاضاي سفارش شما
قیمت:	According to your order requirement
جزئیات بسته بندی:	لوله + کارتن
زمان تحویل:	بر اساس تقاضاي سفارش شما
شرایط پرداخت:	T/T
قابلیت ارائه:	600KK در سال

مخاطب

Multi-scene Surge Immunity Super Junction MOSFET برای راننده LED

شرح

مقاومت داخلی:	مقاومت داخلی فوق العاده کوچک	ظرفیت:	ظرفیت اتصال فوق العاده کم
نوع وسیله:	قدرت دستگاه های گسسته	درخواست:	درایور LED، مدار PFC، منبع تغذیه سوئیچینگ، یو پی اس سیستم منبع تغذیه پیوسته، تجهیزات انرژی جدید و غی
کانال:	ن	مزایا:	It Is Made By Multi-layer Epitaxy Process. این توسط فرآیند اپیتاکسی چند لایه ساخته شده است
برجسته کردن:	چند منظره ی فوق العاده ی موسفیت,LED Driver Superjunction Mosfet (موسفیت راننده LED),MOSFET سوپر جنکشن راننده , LED Driver Superjunction MOSFET , Driver Super Junction MOSFET

Multi-scene Surge Immunity Super Junction MOSFET برای راننده LED

ویژگی ها

• هزینه پایین دروازه

• RDS پایین ((در) در هر منطقه تراشه ((FOM پایین

• بسیار کم تغییر و از دست دادن هدایت

• انعطاف پذیری بسیار بالا

برنامه های کاربردی

• اینورترهای خورشیدی

• تلویزیون LCD/LED/PDP

• منابع برق مخابرات/سرور

• منبع برق AC-DC

پشتیبانی و خدمات:

پشتیبانی فنی و خدمات MOSFET کربید سیلیکون

تیم پشتیبانی فنی و خدمات ما در اینجا برای کمک به شما با محصولات MOSFET کربید سیلیکون است. ما منابع مختلفی را برای پاسخگویی به نیازهای شما ارائه می دهیم، از جمله:

مدارک فنی
راهنمای رفع مشکل
انجمن های پشتیبانی آنلاین
چت فنی زنده
پشتیبانی ایمیل و تلفن

ما متعهد به کمک به شما برای به دست آوردن بیشترین از محصولات کربید سیلیکون MOSFET خود را. اگر شما هر گونه سوال و یا نیاز به کمک، لطفا در تماس با ما تردید نکنید!

برچسب:

SJ Mosfet,MOS سوپر جنکشن,ماسفت N کانال,

چند منظره ی فوق العاده ی موسفیت,LED Driver Superjunction Mosfet (موسفیت راننده LED),MOSFET سوپر جنکشن راننده,

N Channel Mosfet

اطلاعات تماس

Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd

تماس با شخص: Mrs. Qinqin

تلفن: +8618988720515

فکس: 86-189-8872-0515

سایر محصولات

7A 650V 520mΩ Super Junction Mosfet N-Channel به 220F برای تامین برق

شناسه: 7A

ولتاژ منبع تخلیه: 650 ولت

RDSON-typ VGS=10V: 520mΩ

درخواست ها: تصحیح ضریب توان، منابع تغذیه حالت سوئیچ، درایور LED.طراحی شده برای سوئیچینگ ولتاژ بالا و سرعت بالا

از دست دادن رسانای کم زمان بازیابی سریع خنک کننده Mosfet 30A 650V 99mΩ

شناسه: 30A

ولتاژ منبع تخلیه: 650 ولت

RDSON-typ VGS=10V: 99mΩ

درخواست ها: اینورترهای خورشیدی، شمع شارژ، منبع تغذیه AC-DC

7A 650V 520mΩ TO-252 تنظیم کننده سوئیچینگ Mosfet Super Junction

شناسه: 7A

ولتاژ منبع تخلیه: 650 ولت

RDSON-typ VGS=10V: 520mΩ

کاهش کمرودگی خنک کننده Mosfet 30A 650V 120mΩ برای منابع برق حالت سوئیچ

شناسه: 30A

ولتاژ منبع تخلیه: 650 ولت

RDSON-typ VGS=10V: 120mΩ

درخواست ها: اینورترهای خورشیدی، شمع شارژ، منبع تغذیه AC-DC

فاکتور قدرت تصحیح سوپر جنکشن MOSFET 11A 650V 350mΩ

شناسه: 7A

ولتاژ منبع تخلیه: 650 ولت

RDSON-typ VGS=10V: 350mΩ

Multi-scene Surge Immunity Super Junction MOSFET برای راننده LED

اینورتر IGBT

IGBT با قدرت بالا

ماسفت با قدرت بالا

MOSFET سوپر جنکشن

ماسفت ولتاژ پایین

ماسفت فشار قوی

دیودهای مانع شاتکی

دیود های بازیابی سریع

VF Schottky پایین

نیمه هادی با قدرت بالا

ماسفت سیلیکون کاربید

سلیکون کاربید SBD

اینورتر خورشیدی سوپر جنکشن موس قدرت بالا خنک کننده موسفیت برای شارژ انبار

70A 650V 38mΩ Si Super Junction MOSFET با دیود بازیابی سریع

N Channel Super Junction MOSFET سطح نصب فرکانس بالا تغییر کول MOS

Multi-scene Surge Immunity Super Junction MOSFET برای راننده LED

Multi-scene Surge Immunity Super Junction MOSFET برای راننده LED

چند منظره ی فوق العاده ی موسفیت,LED Driver Superjunction Mosfet (موسفیت راننده LED),MOSFET سوپر جنکشن راننده

LED Driver Superjunction MOSFET

Driver Super Junction MOSFET

پشتیبانی و خدمات:

SJ Mosfet,MOS سوپر جنکشن,ماسفت N کانال,

چند منظره ی فوق العاده ی موسفیت,LED Driver Superjunction Mosfet (موسفیت راننده LED),MOSFET سوپر جنکشن راننده,

N Channel Mosfet

7A 650V 520mΩ Super Junction Mosfet N-Channel به 220F برای تامین برق

از دست دادن رسانای کم زمان بازیابی سریع خنک کننده Mosfet 30A 650V 99mΩ

7A 650V 520mΩ TO-252 تنظیم کننده سوئیچینگ Mosfet Super Junction

کاهش کمرودگی خنک کننده Mosfet 30A 650V 120mΩ برای منابع برق حالت سوئیچ

فاکتور قدرت تصحیح سوپر جنکشن MOSFET 11A 650V 350mΩ

سلیکون کاربید SBD

دیود های مانع سیلیکون کاربید برای اجاق برق

SBD کربید سیلیکون ولتاژ بالا برای مرکز داده

کاربید سیلیکون صنعتی SBD چند منظوره برای دستگاه جوش

اینورتر IGBT

15A 1200V اینورتر IGBT مدار کوتاه مقاومت زمان 10μS برای راننده موتور

اینورتر قابل اعتماد و محکم IGBT حالت تقویت کانال N

تخته شارژ IGBT ترانزیستور چند منظوره برای برنامه های کاربردی OBC